igbt模块的工作原理?
igbt的工作原理是什么的工作原理是什么?igbt的等效电路如图1所示。由图1可知知,若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则mosfet导通,这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v,则mosfet截止,切断pnp晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,igbt的安全可靠与否主要由以下因素决定:——igbt栅极与发射极之间的电压;——igbt集电极与发射极之间的电压;——流过igbt集电极-发射极的电流;——igbt的结温。如果igbt栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则igbt不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则igbt可能永久性损坏;同样,如果加在igbt集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过igbt集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,igbt的结温超过其结温的允许值,igbt都可能会永久性损坏。绝缘栅极双极型晶体管(igbt)绝缘栅极双极型晶体管()igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给pnp晶体管提供基极电流,使igbt导通。反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使igbt关断。igbt的驱动方法和mosfet基本相同,只需控制输入极n一沟道mosfet,所以具有高输入阻抗特性。当mosfet的沟道形成后,从p+基极注入到n一层的空穴(少子),对n一层进行电导调制,减小n一层的电 20210311