如何看待长江存储公布3d nand新架构xtacking？ 
2024-05-30 19:15:30
提问者: 未知
长江存储6日公布了有关其xtacking架构的关键细节，该架构将用于其即将推出的3d nand闪存芯片。该技术涉及使用两个晶圆构建nand芯片：一个晶圆包含基于电荷陷阱架构的实际...什么是nand闪存?
2024-05-30 07:10:31
提问者: 未知
内存和nor型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而nand型闪存的基本存储单元是页（page）（可以看到，nand型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）byte”的表示方式。目前2...nor flash 和nand flash 的区别
2024-05-30 00:49:03
提问者: 未知
简单说明：nand flash内部结构是用与非门组成存储单元的。有非易失性，读写速度快，而且比较容易做到大容量。目前单片nand flash存储容量可以达到8gbit（1gbyte)。nor flash也有非易失性。随机存储速度比nand flash 快得多。所以一般用nor flash 用做内存片，或者叫做数据缓冲。而nand flash则一般用来做存储数据用。比方说，u盘.mp3等。 ...serial flash 和 nor flash nand flash 有什么区别
2024-05-30 06:35:41
提问者: 未知
serial flash一般采用一线接口spi总线）与cpu进行的，是一位一位发送nor flash采用并址和数据总线形式与cpu进行通信，若数据总线宽度为16，则通信时要一次发送16位的并行数据；nand flash没有独立的地址线和数据线，其通信方式是由i/o口和控制信号所决定，其地址与数据都是通过i/o来串行的读取。怎么区分nor flash 与nand flash芯片
2024-05-30 17:29:50
提问者: 未知
具体的方法： 看datasheet nor flash上数据线和地址线是分开的 nand flash上数据线和地址线是共用的 nor flash/nand flash 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash 技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash 结构，强调降低每...sd接口怎么接nand flash
2024-05-30 18:22:50
提问者: 未知
nand flash存储单元slc（single layer cell）、mlc (multi-layer cell)及tlc（triple layer cell）目前slc已经淡主流市场主流存储单元mlc向tlc迈进emmc ( embedded multi media card) 采用统mmc标准接口自身集mmc controller存储单元与nandflash相同针flash特性emmc产品...为什么nand flash的容量会变小
2024-05-30 08:59:34
提问者: 未知
正规flash芯片,当您擦除万次之后,部分block就无法再读写数据,这将导致flash的容量下降如何编写linux下nand flash驱动
2024-05-30 07:46:45
提问者: 未知
1.硬件特性： 【flash硬件实现机制】 flash全名叫做flash memory属于非易失性存储设备(non-volatile memory device)与相应易失性存储设备(volatile memory device)关于非易失性/易失性名字看非易失性容易丢失数据存储类设备即使断电丢失类设备除flash其比较见入硬盘rom等与相易失性断电数据丢失比家用...nor flash和nand flash的区别
2024-05-30 05:17:52
提问者: 未知
nand flash和nor flash的区别一、nand flash和nor flash能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除nor器件时是以...nand flash烧录公司
2024-05-30 21:11:17
提问者: 未知
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