禁带宽度对于半导体器能的影响非常它直接决定着器件的耐压和最高温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以gan更难被击穿,因此常用作高压耐高温器件,也有很高的抗辐射性能。另一方面,通过掺杂调节禁带宽度可以制作高电子迁移率晶体管(hemt,high electron mobility trans**tor)。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频(毫米波)、超高速领域,原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的;而高迁移率的原因部分在于禁带宽度不同的半导体组成异质结。相关的东西很多,我也在学习之中,互勉~ 20210311